Número do Produto do Fabricante:
BSP125 E6327
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP125 E6327-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventário:
12850456
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BSP125 E6327 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 94µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
BSP125E6327T
BSP125E6327
SP000011100
BSP125 E6327-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSP125H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
27360
NÚMERO DA PEÇA
BSP125H6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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